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09
2026
-
05
白光干涉仪,晶圆级封装/Bump键合3D轮廓测量
摘要随着晶圆级扇出封装、TSV互连及精密Bump键合工艺高速开展,芯片封装朝着微型化、高密度、高精度集成方向快速升级。晶圆级Bump键合作为芯片互连的核心工序,...
09
2026
-
05
钙钛矿电池死区宽度测量,白光干涉助力GFF提升
1 钙钛矿电池死区宽度成因及工艺影响钙钛矿电池组件规模化生产中,激光刻蚀形成的边缘无效区域即为电池死区,主要位于P1、P2、P3刻蚀沟槽边缘及电池片串间衔接位置...
09
2026
-
05
硅片/碳化硅/蓝宝石/氮化铝衬底,晶圆表面粗糙度白光干涉测量
摘要硅片、碳化硅、蓝宝石及氮化铝是半导体功率器件、光电子芯片与第三代半导体封装制程的核心晶圆衬底材料,晶圆表面粗糙度直接影响薄膜外延生长质量、光刻制程精度及器件...
09
2026
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05
GB/T 3505 国标解读,白光干涉仪表面粗糙度测量
一、GB/T 3505表面粗糙度国标核心解读GB/T 3505是我国机械制造领域表面结构与粗糙度评定的基础性国家标准,对标国际通用计量规范,适配国内全品类机械加...
共40页
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